Изображение служит лишь для справки
71V416L12PHI
- Renesas
- Память
- -
- SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 12ns 44-Pin TSOP-II
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:44
- Описание пакета:0.400 INCH, TSOP2-44
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
- Уровни чувствительности к влажности:3
- Количество кодовых слов:256000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:TSOP44,.46,32
- Минимальная температура работы:-40 °C
- Время доступа-максимум:12 ns
- Температура работы-Макс:85 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:71V416L12PHI
- Количество слов:262144 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):3.3 V
- Код пакета:TSOP2
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Integrated Device Technology Inc
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- Ранг риска:5.36
- Код упаковки компонента:TSOP2
- Код JESD-609:e0
- Код ECCN:3A991.B.2.A
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn85Pb15)
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Подкатегория:SRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Количество функций:1
- Шаг выводов:0.8 mm
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:44
- Код JESD-30:R-PDSO-G44
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):3.6 V
- Блоки питания:3.3 V
- Градация температуры:INDUSTRIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):3 V
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.17 mA
- Организация:256KX16
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:1.2 mm
- Ширина памяти:16
- Ток ожидания-макс:0.01 A
- Плотность памяти:4194304 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:3 V
- Ширина:10.16 mm
- Длина:18.41 mm
Со склада 0
Итого $0.00000