Изображение служит лишь для справки
7130LA55JG
- Renesas
- Память
- -
- SRAM Chip Async Dual 5V 8K-Bit 1K x 8 55ns 52-Pin PLCC
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:52
- Описание пакета:QCCJ, LDCC52,.8SQ
- Форма упаковки:CHIP CARRIER
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Количество кодовых слов:1000
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код эквивалентности пакета:LDCC52,.8SQ
- Максимальная температура рефлоу:20
- Время доступа-максимум:55 ns
- Температура работы-Макс:70 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:7130LA55JG
- Количество слов:1024 words
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Код пакета:QCCJ
- Форма упаковки:SQUARE
- Производитель:Integrated Device Technology Inc
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- Ранг риска:5.08
- Код упаковки компонента:LCC
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn) - annealed
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Подкатегория:SRAMs
- Технология:CMOS
- Положение терминала:QUAD
- Форма вывода:J BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C):225
- Количество функций:1
- Шаг выводов:1.27 mm
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:52
- Код JESD-30:S-PQCC-J52
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Блоки питания:5 V
- Градация температуры:COMMERCIAL
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Количество портов:2
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.11 mA
- Организация:1KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:4.572 mm
- Ширина памяти:8
- Ток ожидания-макс:0.0015 A
- Плотность памяти:8192 bit
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:DUAL-PORT SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:2 V
- Ширина:19.1262 mm
- Длина:19.1262 mm
Со склада 0
Итого $0.00000