Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDMC5614P-B8
Изображение служит лишь для справки
FDMC5614P-B8
- ON Semiconductor
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- FET -60V 100.0 MOHM MLP33
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Panel Mount, Through Hole
- Корпус / Кейс:8-PowerWDFN
- Монтажная особенность:Flange
- Материал корпуса:Aluminum
- Поставщик упаковки устройства:8-WDFN (3.3x3.3)
- Материал вставки:-
- Материал задней обоймы, покрытие:-
- Напряжение, классификация:-
- Пакет:Bulk
- Основной материал:Metal
- Основной номер продукта:TVP00DT
- Mfr:Amphenol Aerospace Operations
- Контактная поверхность совместимая:Gold
- Состояние продукта:Active
- Материалы контактов:Copper Alloy
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2.1W (Ta), 42W (Tc)
- Рабочая температура:-65°C ~ 175°C
- Серия:MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
- Завершение:Solder
- Тип соединителя:Receptacle, Male Pins
- Количество должностей:32
- Цвет:-
- Применение:Military
- Способ крепления:Threaded
- Максимальная токовая нагрузка (Амперы):-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Ориентация:B
- Экранирование:Shielded
- Защита от проникновения:Environment Resistant
- Облицовка:Durmalon™
- Размер корпуса - вставка:13-32
- Размер корпуса, MIL:-
- Открывание кабеля:-
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:100mOhm @ 5.7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1055 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:20 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:Alignment Disc
- Толщина покрытия контакта - совместимая:50.0µin (1.27µm)
- Рейтинг горючести материала:-
Со склада 0
Итого $0.00000