(0)
Изображение служит лишь для справки
DHM3UM80
-
HITACHI
-
Неклассифицированные
- 8-PowerTDFN
- Diode Switching 8KV 0.003A 2-Pin
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：PG-TSON-8-7
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8.2A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：-
- Mfr：Infineon Technologies
- Максимальная мощность рассеяния：41.6W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- РХОС：Non-Compliant
- Форма упаковки：LONG FORM
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：DHM3UM80
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.64
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：CoolGaN™
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.70
- Технология：GaNFET (Gallium Nitride)
- Положение терминала：AXIAL
- Форма вывода：WIRE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-PALF-W2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Тип ТРВ：N-Channel
- Выводная мощность-макс：0.003 A
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：-
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.6V @ 530µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：87.7 pF @ 400 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：-10V
- Максимальное обратное напряжение：8000 V
- Характеристика ТРП：-
- Время обратной восстановительной максимальная：0.04 µs
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
