Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IXTA3N120HV
Изображение служит лишь для справки
IXTA3N120HV
-
Littelfuse
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3
- Power MOSFET,N Channel, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Surface Mount
Date Sheet
Lagernummer 482
- 1+： $5.70114
- 10+： $5.37843
- 100+： $5.07399
- 500+： $4.78679
- 1000+： $4.51584
Zwischensummenbetrag $5.70114
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Panel Mount, Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-263-3
- Монтажная особенность：Flange
- Материал корпуса：Stainless Steel
- Пакет：Retail Package
- Основной материал：Metal
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Материалы контактов：Copper Alloy
- Контактная поверхность совместимая：Gold
- MSL：-
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：3A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：200 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：42 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.5 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：3 A
- Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
- Серия：806
- Завершение：Solder
- Тип соединителя：Receptacle, Female Sockets
- Цвет：Silver
- Способ крепления：Threaded
- Технология：Si
- Ориентация：E
- Облицовка：Passivated
- Размер корпуса - вставка：36-20A
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：200W
- Канальный тип：N Channel
Со склада 482
- 1+： $5.70114
- 10+： $5.37843
- 100+： $5.07399
- 500+： $4.78679
- 1000+： $4.51584
Итого $5.70114
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты