(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJQ5474A_R2_00001
Изображение служит лишь для справки
PJQ5474A_R2_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 33
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：DFN5060-8
- Напряжение, классификация：150 V
- Чувствительный к влажности：Yes
- Вес единицы：0.002822 oz
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- РХОС：Details
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：52W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Допуск：0.5 %
- Коэффициент температурной зависимости：100 ppm/°C
- Сопротивление：33.2 Ω
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Подкатегория：MOSFETs
- Мощность рейтинга：250 mW
- Технология：Si
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3555 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：61 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Высота：650 µm
Со склада 33
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
