(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDG6304P-NL
Изображение служит лишь для справки
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Bulk
- Mfr：PEI-Genesis
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：FDG6304P_NL
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска：5.38
- Код упаковки компонента：SC-70
- Максимальный ток утечки (ID)：0.41 A
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：1.1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：25 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.3 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
