Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDV304PD87Z
Изображение служит лишь для справки
FDV304PD87Z
- Fairchild
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Пакет:Bulk
- Mfr:PEI-Genesis
- Состояние продукта:Active
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:FDV304PD87Z
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.39
- Максимальный ток утечки (ID):0.46 A
- Серия:*
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):0.46 A
- Сопротивление открытого канала-макс:1.1 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:25 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.35 W
Со склада 0
Итого $0.00000