Изображение служит лишь для справки
HGT1S20N60C3S
-
Intersil
-
Неклассифицированные
- -
- IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：52 ns
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Время отключения (toff)：388 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：HGT1S20N60C3S
- Время включения макс. (ton)：60 ns
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Время отключения макс. (toff)：660 ns
- Время подъема макс：28 ns
- Ранг риска：5.72
- Серия：*
- Код JESD-609：e3
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn) - annealed
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Максимальная потеря мощности (абс.)：164 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：45 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：1.8 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.3 V
- Время падения максимальное (tf)：210 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты