Изображение служит лишь для справки
BC338-25 A1
- Taiwan Semiconductor
- Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 324-LFBGA, CSPBGA
- TRANS NPN 25V 0.8A TO92
- Date Sheet
Lagernummer 8191
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:324-LFBGA, CSPBGA
- Поставщик упаковки устройства:324-CSPBGA (15x15)
- Количество портов ввода/вывода:226
- Пакет:Tray
- Основной номер продукта:XC6SLX25
- Mfr:AMD
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):800 mA
- Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- РХОС:Compliant
- Число элементов на чипе:1
- Размеры:5.1 x 4.1 x 4.7mm
- Формат упаковки:TO-92
- Максимальная рабочая температура:+150 °C
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:25 V
- Максимальный постоянный ток сбора:800 mA
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока:160
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:625 mW
- Полярность транзистора:NPN
- Вес единицы:0.016000 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:4000
- Монтажные варианты:Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
- Производитель:Taiwan Semiconductor
- Бренд:Taiwan Semiconductor
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:25 V
- Рабочая температура:-40°C ~ 100°C (TJ)
- Серия:Spartan®-6 LX
- Пакетирование:Ammo Pack
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Напряжение - Питание:1.14V ~ 1.26V
- Число контактов:3
- Направленность:NPN
- Конфигурация:Single
- Мощность - Макс:625 mW
- Число логических элементов/ячейки:24051
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:NPN
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 100mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
- Общий объем ОЗУ бит:958464
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):25 V
- Количество ЛАБ/КЛБ:1879
- Частота - Переход:100MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 8191
Итого $0.00000