Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 8191

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 years ago)
  • Вид крепления:Surface Mount
  • Корпус / Кейс:324-LFBGA, CSPBGA
  • Поставщик упаковки устройства:324-CSPBGA (15x15)
  • Количество портов ввода/вывода:226
  • Пакет:Tray
  • Основной номер продукта:XC6SLX25
  • Mfr:AMD
  • Состояние продукта:Active
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):800 mA
  • Статус жизненного цикла производителя:ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
  • РХОС:Compliant
  • Число элементов на чипе:1
  • Размеры:5.1 x 4.1 x 4.7mm
  • Формат упаковки:TO-92
  • Максимальная рабочая температура:+150 °C
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:25 V
  • Максимальный постоянный ток сбора:800 mA
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока:160
  • Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
  • Распад мощности:625 mW
  • Полярность транзистора:NPN
  • Вес единицы:0.016000 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:4000
  • Монтажные варианты:Through Hole
  • Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
  • Производитель:Taiwan Semiconductor
  • Бренд:Taiwan Semiconductor
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:25 V
  • Рабочая температура:-40°C ~ 100°C (TJ)
  • Серия:Spartan®-6 LX
  • Пакетирование:Ammo Pack
  • Подкатегория:Transistors
  • Технология:Si
  • Напряжение - Питание:1.14V ~ 1.26V
  • Число контактов:3
  • Направленность:NPN
  • Конфигурация:Single
  • Мощность - Макс:625 mW
  • Число логических элементов/ячейки:24051
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:160 @ 100mA, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):100nA (ICBO)
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:700mV @ 50mA, 500mA
  • Общий объем ОЗУ бит:958464
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):25 V
  • Количество ЛАБ/КЛБ:1879
  • Частота - Переход:100MHz
  • Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):30 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 8191

Итого $0.00000