(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLV32F
Изображение служит лишь для справки
BLV32F
-
Philips
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Bipolar Transistors RF Transisto
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Retail Package
- Mfr：Glenair
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-CXFM-F6
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Артикул Производителя：BLV32F
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Advanced Semiconductor Inc
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.13
- Серия：*
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：UNSPECIFIED
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：6
- Код JESD-30：O-CXFM-F6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Сокетная связка：EMITTER
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальная потеря мощности (абс.)：82 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：4 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：20
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：32 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
