(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPI032N06N3GE8214AKSA1
Изображение служит лишь для справки
IPI032N06N3GE8214AKSA1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- MOSFET N-CH 60V TO262-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO262-3-1
- Пакет：Tape & Box (TB)
- Mfr：Reliance North America
- Состояние продукта：Active
- Основной номер продукта：IPI032N
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：120A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：188W (Tc)
- Серия：*
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：3.2mOhm @ 100A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 118µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13000 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：165 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
