Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC030N03MSG &&&&&&&&&&&
Изображение служит лишь для справки
BSC030N03MSG &&&&&&&&&&&
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 40-UFQFN Exposed Pad
- MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
- Date Sheet
Lagernummer 9852
- 1+: $0.97803
- 10+: $0.92267
- 100+: $0.87044
- 500+: $0.82117
- 1000+: $0.77469
Zwischensummenbetrag $0.97803
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
- Корпус / Кейс:40-UFQFN Exposed Pad
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:40-QFN (6x6)
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество портов ввода/вывода:34
- Пакет:Tray
- Основной номер продукта:CY8C4147
- Mfr:Infineon Technologies
- Преобразователи данных:A/D 16x10b, 20x12b SAR
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:19 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1 V
- Распад мощности:69 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.004250 oz
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:5000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:48 S
- Режим канала:Enhancement
- Партийные обозначения:BSC3N3MSGXT SP000311506 BSC030N03MSGATMA1
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- Зарядная характеристика ворот:73 nC
- Торговое наименование:OptiMOS
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.5 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:23 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:100 A
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A (Ta), 122A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 69W (Tc)
- Описание пакета:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BSC030N03MSG
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска:5.64
- Максимальный ток утечки (ID):21 A
- Рабочая температура:-40°C ~ 105°C (TA)
- Серия:Automotive, AEC-Q100, PSOC® 4 CY8C4100
- Пакетирование:MouseReel
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:Yes
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-PDSO-F8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип генератора:External, Internal
- Скорость:24MHz
- Размер ОЗУ:16K x 8
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Ток напряжения - Питание (Вcc/Вdd):1.71V ~ 5.5V
- Ядерный процессор:ARM® Cortex®-M0+
- Сокетная связка:DRAIN
- Периферийные устройства:Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
- Тип программной памяти:FLASH
- Размер ядра:32-Bit
- Объем программной памяти:128KB (128K x 8)
- Связь:FIFO, I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5700 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:73 nC @ 10 V
- Время подъема:10 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Размер EEPROM:-
- Максимальный сливовой ток (ID):100 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.0038 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:400 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):75 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):69 W
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
- Ширина:5.15 mm
- Высота:1.27 mm
- Длина:5.9 mm
Со склада 9852
- 1+: $0.97803
- 10+: $0.92267
- 100+: $0.87044
- 500+: $0.82117
- 1000+: $0.77469
Итого $0.97803