Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

BSC030N03MSG &&&&&&&&&&&

Lagernummer 9852

  • 1+: $0.97803
  • 10+: $0.92267
  • 100+: $0.87044
  • 500+: $0.82117
  • 1000+: $0.77469

Zwischensummenbetrag $0.97803

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Surface Mount, Wettable Flank
  • Корпус / Кейс:40-UFQFN Exposed Pad
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Поставщик упаковки устройства:40-QFN (6x6)
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Количество портов ввода/вывода:34
  • Пакет:Tray
  • Основной номер продукта:CY8C4147
  • Mfr:Infineon Technologies
  • Преобразователи данных:A/D 16x10b, 20x12b SAR
  • Состояние продукта:Active
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
  • Время типичного задержки включения:19 ns
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1 V
  • Распад мощности:69 W
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Усв:- 20 V, + 20 V
  • Вес единицы:0.004250 oz
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Пакетная партия производителя:5000
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Минимальная прямая транконductанс:48 S
  • Режим канала:Enhancement
  • Партийные обозначения:BSC3N3MSGXT SP000311506 BSC030N03MSGATMA1
  • Производитель:Infineon
  • Бренд:Infineon Technologies
  • Зарядная характеристика ворот:73 nC
  • Торговое наименование:OptiMOS
  • Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.5 mOhms
  • РХОС:Details
  • Время задержки отключения типичного:23 ns
  • Id - Непрерывный ток разряда:100 A
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:21A (Ta), 122A (Tc)
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
  • Максимальная мощность рассеяния:2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Описание пакета:GREEN, PLASTIC, TDSON-8
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:BSC030N03MSG
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:INFINEON TECHNOLOGIES AG
  • Ранг риска:5.64
  • Максимальный ток утечки (ID):21 A
  • Рабочая температура:-40°C ~ 105°C (TA)
  • Серия:Automotive, AEC-Q100, PSOC® 4 CY8C4100
  • Пакетирование:MouseReel
  • Код JESD-609:e3
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
  • Дополнительная Характеристика:AVALANCHE RATED
  • Подкатегория:MOSFETs
  • Технология:Si
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:FLAT
  • Температура пайки (пиковая) (°C):260
  • Код соответствия REACH:not_compliant
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-PDSO-F8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:Single
  • Каналов количество:1 Channel
  • Тип генератора:External, Internal
  • Скорость:24MHz
  • Размер ОЗУ:16K x 8
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Ток напряжения - Питание (Вcc/Вdd):1.71V ~ 5.5V
  • Ядерный процессор:ARM® Cortex®-M0+
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Периферийные устройства:Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
  • Тип программной памяти:FLASH
  • Размер ядра:32-Bit
  • Объем программной памяти:128KB (128K x 8)
  • Связь:FIFO, I²C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:3mOhm @ 30A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:2V @ 250µA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5700 pF @ 15 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:73 nC @ 10 V
  • Время подъема:10 ns
  • Напряжение стока-исток (Vdss):30 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Тип продукта:MOSFET
  • Тип транзистора:1 N-Channel
  • Размер EEPROM:-
  • Максимальный сливовой ток (ID):100 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.0038 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:400 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):75 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):69 W
  • Характеристика ТРП:-
  • Категория продукта:MOSFET
  • Ширина:5.15 mm
  • Высота:1.27 mm
  • Длина:5.9 mm

Со склада 9852

  • 1+: $0.97803
  • 10+: $0.92267
  • 100+: $0.87044
  • 500+: $0.82117
  • 1000+: $0.77469

Итого $0.97803