Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK754R0-55B127
Изображение служит лишь для справки
BUK754R0-55B127
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- PFET, 75A I(D), 55V, 0.004OHM, 1
Date Sheet
Lagernummer 542
- 1+： $0.74771
- 10+： $0.70539
- 100+： $0.66546
- 500+： $0.62779
- 1000+： $0.59226
Zwischensummenbetrag $0.74771
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220AB
- РХОС：Compliant
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：TrenchMOS™
- Допуск：10 %
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Капацитивность：680 pF
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Глубина：1.25 mm
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4mOhm @ 25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6776 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：55 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Длина：2 mm
Со склада 542
- 1+： $0.74771
- 10+： $0.70539
- 100+： $0.66546
- 500+： $0.62779
- 1000+： $0.59226
Итого $0.74771
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты