BSP373 L6327

Name: Infineon BSP373 L6327
Brand: Infineon
Rating: 4.7 (19 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-261-4, TO-261AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：PG-SOT223
Материал：Aluminum
Форма：Square, Fins
Пакет охлаждаемый：Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
Отделка материала：Blue Anodized
Количество терминалов：4
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Infineon Technologies
Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta)
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-55 °C
Максимальная температура рефлоу：40
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSP373L6327
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.78
Максимальный ток утечки (ID)：1.7 A
Серия：pushPIN™
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Состояние изделия：Active
Код ECCN：EAR99
Тип：Top Mount
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
Подкатегория：FET General Purpose Power
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：4
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-G4
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Метод крепления：Push Pin
Высота над основанием (Высота лопасти)：1.181 (30.00mm)
Тепловое сопротивление при принудительном воздушном потоке：9.58°C/W @ 100 LFM
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：300mOhm @ 1.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：550 pF @ 25 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Максимальный сливовой ток (ID)：1.7 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：6.8 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：45 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1.8 W
Характеристика ТРП：-
Тепловое сопротивление при естественном охлаждении：--
Расход мощности @ Температурный подъем：--
Ширина：0.984 (25.00mm)
Длина：0.984 (25.00mm)
Диаметр：--

Со склада 0

Итого $0.00000