BUZ73A E3046

Name: Infineon BUZ73A E3046
Brand: Infineon
Rating: 5 (13 reviews)

Infineon
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
Axial
N-CHANNEL POWER MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Корпус / Кейс：Axial
Вид крепления：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：--
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Состояние продукта：Active
Максимальная мощность рассеяния：40W (Tc)
Mfr：Infineon Technologies
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.5A (Tc)
Пакет：Bulk
Описание пакета：TO-220AB, 3 PIN
Форма упаковки：IN-LINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BUZ73A-E3046
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Infineon Technologies AG
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Ранг риска：5.25
Код упаковки компонента：TO-220AB
Максимальный ток утечки (ID)：5.5 A
Рабочая температура：-55°C ~ 155°C
Серия：MBB/SMA 0207 - Professional
Пакетирование：Tape & Box (TB)
Размер / Размерность：0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)
Допуск：±0.5%
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Коэффициент температурной зависимости：±50ppm/°C
Сопротивление：37 kOhms
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Состав：Thin Film
Мощность (ватт)：0.6W
Подкатегория：FET General Purpose Power
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSIP-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Срок службы：--
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：600mOhm @ 4.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：530 pF @ 25 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：200 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：0.6 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：22 A
Минимальная напряжённость разрушения：200 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：120 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
Характеристика ТРП：-
Характеристики：--
Высота сидения (макс.)：--

Со склада 0

Итого $0.00000