(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF245
Изображение служит лишь для справки
IRF245
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- IRF245 - N-Channel HERMETIC MOS HEXFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Артикул Производителя：IRF245
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Rochester Electronics LLC
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Ранг риска：5.39
- Максимальный ток утечки (ID)：13 A
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：COMMERCIAL
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.34 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：52 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
