Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPTC054N15NM5ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPTC054N15NM5ATMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 16-PowerSOP Module
- OPTIMOS 5 POWER MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 2173
- 1+: $5.47992
- 10+: $5.16974
- 100+: $4.87711
- 500+: $4.60105
- 1000+: $4.34061
Zwischensummenbetrag $5.47992
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:16-PowerSOP Module
- Поставщик упаковки устройства:PG-HDSOP-16-2
- Пакет:Bag
- Mfr:Souriau-Sunbank by Eaton
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:17.5A (Ta), 143A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):8V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Пакетная партия производителя:1800
- Производитель:Infineon
- Бренд:Infineon Technologies
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:150 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Распад мощности:250 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:58 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:5.4 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:143 A
- Серия:*
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакетирование:Cut Tape
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:5.4mOhm @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4.6V @ 191µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:5700 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:73 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):150 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:Infineon
Со склада 2173
- 1+: $5.47992
- 10+: $5.16974
- 100+: $4.87711
- 500+: $4.60105
- 1000+: $4.34061
Итого $5.47992