(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R5009FNJTL
Изображение служит лишь для справки
R5009FNJTL
-
LAPIS
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：LPTS
- Напряжение, классификация：100 V
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Tc)
- Другие Названия：R5009FNJTLCT
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：50W (Tc)
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Допуск：0.5 %
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Коэффициент температурной зависимости：25 ppm/°C
- Сопротивление：109 kΩ
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Мощность рейтинга：100 mW
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：840 mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：630pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
- Высота：650 µm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
