(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDN338P
Изображение служит лишь для справки
FDN338P
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：SuperSOT-3
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.6A (Ta)
- Другие Названия：FDN338PTR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：500mW (Ta)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：451pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
