(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB200N25N3GATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB200N25N3GATMA1
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D²PAK (TO-263AB)
- Максимальная мощность рассеяния：300W (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Другие Названия：IPB200N25N3 G IPB200N25N3 G-ND IPB200N25N3 GTR IPB200N25N3 GTR-ND IPB200N25N3G IPB200N25N3GATMA1TR SP000677896
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：64A (Tc)
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：OptiMOS™
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：20 mOhm @ 64A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 270µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7100pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：250V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
