(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB22N60AE-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB22N60AE-GE3
-
Electro Films
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D²PAK (TO-263)
- Вес：113.398093 g
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：179W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：E
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：180 mOhm @ 11A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1451pF @ 100V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：96nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
- Ширина：66.04 mm
- Высота：124.46 mm
- Длина：35.56 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
