(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTMFS4C59NT1G
Изображение служит лишь для справки
NTMFS4C59NT1G
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Покрытие контактов：Gold
- Монтаж：Flanges, Panel, Through Hole
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：73
- Поставщик упаковки устройства：5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- РХОС：Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta), 52A (Tc)
- Другие Названия：NTMFS4C59NT1G-ND NTMFS4C59NT1GOSTR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：-
- Пакетирование：Bulk
- Рабочая температура：-
- Серия：-
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Завершение：Solder
- Тип соединителя：Receptacle
- Количество должностей：73
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Способ крепления：Threaded
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.8 mOhm @ 30A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1252pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22.2nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：Shielded
- Оценки：Environment Resistant
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
