(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные LSIC1MO120E0160
Изображение служит лишь для справки
LSIC1MO120E0160
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247-3
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：22A (Tc)
- Другие Названия：F11005
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：20V
- Максимальная мощность рассеяния：125W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：SiCFET (Silicon Carbide)
- Длина кабеля：228.6 mm
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：200 mOhm @ 10A, 20V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：870pF @ 800V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：57nC @ 20V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200V
- Угол настройки (макс.)：+22V, -6V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
