(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDD5N60NZTM
Изображение служит лишь для справки
FDD5N60NZTM
-
AMI Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：D-Pak
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4A (Tc)
- Другие Названия：FDD5N60NZTMCT
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：83W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：UniFET-II™
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2 Ohm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600V
- Угол настройки (макс.)：±25V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
