(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IPB80N04S306ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IPB80N04S306ATMA1
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：PG-TO263-3-2
- РХОС：Non-Compliant
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Lead free / RoHS Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：80A (Tc)
- Другие Названия：IPB80N04S3-06 IPB80N04S3-06-ND IPB80N04S3-06TR IPB80N04S3-06TR-ND IPB80N04S306 IPB80N04S306ATMA1TR SP000254822
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：100W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：OptiMOS™
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：5.4 mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 52µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3250pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：47nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
