(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIS780DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIS780DN-T1-GE3
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：PowerPAK® 1212-8
- Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 1212-8
- РХОС：Non-Compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18A (Tc)
- Другие Названия：SIS780DN-T1-GE3-ND SIS780DN-T1-GE3TR
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：27.7W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13.5 mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：722pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：24.5nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：Schottky Diode (Body)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
