IRF1310N

Name: Infineon IRF1310N
Brand: Infineon
Rating: 5 (8 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Поверхностный монтаж：NO
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：30
Температура работы-Макс：175 °C
Рохс Код：No
Артикул Производителя：IRF1310N
Максимальный ток утечки (ID)：42 A
Код упаковки компонента：TO-220AB
Ранг риска：5.07
Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Код цикла жизни компонента：Transferred
Количество элементов：1
Производитель：International Rectifier
Форма упаковки：RECTANGULAR
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Код JESD-609：e0
Безоловая кодировка：No
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Подкатегория：FET General Purpose Power
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Температура пайки (пиковая) (°C)：225
Код соответствия REACH：compliant
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка：DRAIN
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Код JEDEC-95：TO-220AB
Максимальный сливовой ток (ID)：42 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.036 Ω
Максимальный импульсный ток вывода：140 A
Минимальная напряжённость разрушения：100 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：420 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：160 W

Со склада 0

Итого $0.00000