Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные VN1206L-G P005
Изображение служит лишь для справки
VN1206L-G P005
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：AMSECO
- Бренд：AMSECO
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：VN1206L-GP005
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.06
- Максимальный ток утечки (ID)：0.23 A
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-PBCY-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-92
- Сопротивление открытого канала-макс：6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：120 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：20 pF
- Категория продукта：Amseco
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты