Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJF4NA65A_T0_00001
Изображение служит лишь для справки
PJF4NA65A_T0_00001
- Panjit
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- ITO-220AB-F-3
- MOSFET 650V N-Channel MOSFET
- Date Sheet
Lagernummer 37
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:ITO-220AB-F-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:ITO-220AB
- Квалификация:AEC-Q200
- Код корпуса - в:2512
- Код корпуса - мм:6432
- Вес единицы:0.001429 oz
- Пакетная партия производителя:1800
- Монтажные варианты:PCB Mount
- Производитель:TT Electronics
- Бренд:Welwyn Components / TT Electronics
- РХОС:Details
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:650 V
- Время типичного задержки включения:11 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:4 V
- Распад мощности:33 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:18 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:2.7 Ohms
- Время задержки отключения типичного:52 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:4 A
- Пакет:Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:33W (Tc)
- Состояние продукта:Not For New Designs
- Серия:HVC
- Пакетирование:Reel
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск:0.5 %
- Коэффициент температурной зависимости:100 PPM / C
- Сопротивление:4.32 MOhms
- Применение:Automotive Grade
- Подкатегория:Resistors
- Технология:Thick Film
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:2.7Ohm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:555 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:18 nC @ 10 V
- Время подъема:25 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):650 V
- Угол настройки (макс.):±30V
- Тип продукта:Thick Film Resistors
- Тип транзистора:1 N-Channel
- Характеристика ТРП:-
- Характеристики:-
- Категория продукта:Thick Film Resistors - SMD
Со склада 37
Итого $0.00000