Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IAUC120N06S5L015ATMA1
Изображение служит лишь для справки
IAUC120N06S5L015ATMA1
- Infineon
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- DO-41-2
- MOSFET_)40V 60V)
- Date Sheet
Lagernummer 39
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:DO-41-2
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:PG-TDSON-8-43
- Напряжение зазора от электростатического разряда в воздухе:30 kV
- РХОС:Details
- Бренд:Panjit
- Производитель:Panjit
- Максимальная мощность разрядки пика:400 W
- Ипп - Пиковая импульсная сила тока:11.2 A
- Пакетная партия производителя:5000
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Вес единицы:0.011852 oz
- Ток напряжения Контакт ESD:30 kV
- Максимальная рабочая температура:+ 175 C
- Пороговая напряжённость / В:25.7 V
- Состояние продукта:Active
- Максимальная мощность рассеяния:167W (Tc)
- Mfr:Infineon Technologies
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V, 10V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:235A (Tj)
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Пакетирование:Ammo Pack
- Серия:OptiMOS™-5
- Рабочая температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Подкатегория:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Стиль заканчивания:Axial
- Рабочее напряжение:23.1 V
- Направленность:Bidirectional
- Каналов количество:1 Channel
- Уровень задержки:37.5 V
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:1.5mOhm @ 60A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.2V @ 94µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:8193 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:114 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:TVS Diodes
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:ESD Suppressors / TVS Diodes
Со склада 39
Итого $0.00000