Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDN5618P-B8
Изображение служит лишь для справки
FDN5618P-B8
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：SuperSOT™-3
- РХОС：Non-Compliant
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1.25A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：onsemi
- Максимальная мощность рассеяния：460mW (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：170mOhm @ 1.25A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：430 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13.8 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты