(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJMF900N60EC_T0_00001
Изображение служит лишь для справки
PJMF900N60EC_T0_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- MOSFET 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1.5
Date Sheet
Lagernummer 1602
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Поставщик упаковки устройства：ITO-220AB-F
- РХОС：Non-Compliant
- Вес единицы：0.070548 oz
- Пакетная партия производителя：2000
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：22.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Серия：600V SJ MOSFET
- Пакетирование：Reel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск：5 %
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Капацитивность：3.3 nF
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Глубина：2.79 mm
- Диэлектрик：C0G
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：900mOhm @ 2.3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：310 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.8 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Длина：2.79 mm
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 1602
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
