PJD1NA60A_L2_00001

Name: Panjit PJD1NA60A_L2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.5 (9 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
600V N-CHANNEL MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 36

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：TO-252
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：1A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：28W (Tc)
Состояние продукта：Obsolete
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
Распад мощности：28 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：3.1 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7.9 Ohms
Id - Непрерывный ток разряда：1 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.9Ohm @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：148 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：3.1 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Характеристика ТРП：-

Со склада 36

Итого $0.00000