(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJS6413_S1_00001
Изображение служит лишь для справки
PJS6413_S1_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6
- MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 12697
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23-6
- Напряжение, классификация：150 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.2 V
- Усв：- 12 V, + 12 V
- Вес единицы：0.000501 oz
- Пакетная партия производителя：3000
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Зарядная характеристика ворот：7 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：82 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：4.4 A
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.4A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск：0.5 %
- Коэффициент температурной зависимости：25 ppm/°C
- Сопротивление：5.62 Ω
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Подкатегория：MOSFETs
- Мощность рейтинга：250 mW
- Технология：Si
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：82mOhm @ 4.4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：522 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Высота：650 µm
Со склада 12697
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
