PJQ5412_R2_00001

Name: Panjit PJQ5412_R2_00001
Brand: Panjit
Rating: 4.8 (14 reviews)

Panjit
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerVDFN
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet

Lagernummer 2995

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Поставщик упаковки устройства：DFN5060-8
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
Чувствительный к влажности：Yes
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Усв：- 20 V, + 20 V
Вес единицы：0.002822 oz
Пакетная партия производителя：3000
Производитель：Panjit
Бренд：Panjit
Зарядная характеристика ворот：7.1 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：12 mOhms
РХОС：Details
Id - Непрерывный ток разряда：45 A
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：10A (Ta), 45A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Mfr：Panjit International Inc.
Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta), 40W (Tc)
Состояние продукта：Active
Пакетирование：MouseReel
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：-
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：660 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.1 nC @ 4.5 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2995

Итого $0.00000