(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJA138L_R1_00001
Изображение служит лишь для справки
PJA138L_R1_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-3
- MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 15225
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Напряжение, классификация：50 V
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Время типичного задержки включения：7 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.5 V
- Распад мощности：500 mW
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Вес единицы：0.000282 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Panjit
- Бренд：Panjit
- Зарядная характеристика ворот：700 pC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：7 Ohms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：21 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：250 mA
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：250mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：500mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Серия：NFET-60TMN
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Допуск：0.5 %
- Коэффициент температурной зависимости：50 ppm/°C
- Сопротивление：787 kΩ
- Максимальная рабочая температура：155 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Thin Film
- Подкатегория：MOSFETs
- Мощность рейтинга：100 mW
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2Ohm @ 250mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：15 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.7 nC @ 4.5 V
- Время подъема：22 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
- Высота：550 µm
Со склада 15225
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
