(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PJA3439_R1_00001
Изображение служит лишь для справки
PJA3439_R1_00001
-
Panjit
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- PJA3439 R1 00001 Panjit Transistor MOSFET Single 60 V 300mA 500mW MOSFET (Metal Oxide) Surface Mount SOT-23
Date Sheet
Lagernummer 17560
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：300mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 10V
- Mfr：Panjit International Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：500mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Распад мощности：500 mW
- Полярность транзистора：P-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Зарядная характеристика ворот：1.1 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：13 Ohms
- Id - Непрерывный ток разряда：300 mA
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4Ohm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：51 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.1 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 17560
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
