(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные DMN2991UFB4-7B
Изображение служит лишь для справки
DMN2991UFB4-7B
-
Diodes
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 3-XFDFN
- Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R
Date Sheet
Lagernummer 528
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-XFDFN
- Поставщик упаковки устройства：X2-DFN1006-3
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：DMN2991
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：500mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Diodes Incorporated
- Максимальная мощность рассеяния：360mW (Ta)
- Состояние продукта：Active
- Формат упаковки：X2-DFN1006
- Бренд：Diodes Incorporated
- Производитель：Diodes Incorporated
- Пакетная партия производителя：10000
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Число контактов：3
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：990mOhm @ 100mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：14.6 pF @ 16 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.28 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 528
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
