(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G1K3N10G
Изображение служит лишь для справки
G1K3N10G
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-243AA
- N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Date Sheet
Lagernummer 214
- 1+： $1.89648
- 10+： $1.78913
- 100+： $1.68786
- 500+： $1.59232
- 1000+： $1.50219
Zwischensummenbetrag $1.89648
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-243AA
- Поставщик упаковки устройства：SOT-89
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：1.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：130mOhm @ 5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：644 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 214
- 1+： $1.89648
- 10+： $1.78913
- 100+： $1.68786
- 500+： $1.59232
- 1000+： $1.50219
Итого $1.89648
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
