Изображение служит лишь для справки
PMBFJ113,215
- NXP USA Inc.
- Транзисторы - JFET
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
- Date Sheet
Lagernummer 422
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:1
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:1997
- Код JESD-609:e3
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД:8541.21.00.95
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):40
- Основной номер части:MBFJ113
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Мощность - Макс:300mW
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:6pF @ 10V VGS
- Код JEDEC-95:TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс:100Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения:40V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.3W
- Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0):2mA @ 15V
- Ток-отсечка (VGS off) @ Id:3V @ 1μA
- Теперь:40V
- Сопротивление - RDS(на):100Ohm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 422
Итого $0.00000