(0)
Изображение служит лишь для справки
PMBFJ308,215
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - JFET
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS
Date Sheet
Lagernummer 11
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：1
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2001
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：DEPLETION MODE
- Мощность - Макс：250mW
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5pF @ 10V
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Минимальная напряжённость разрушения：25V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：JUNCTION
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：2.5 pF
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY B
- Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)：12mA @ 10V
- Ток-отсечка (VGS off) @ Id：1V @ 1μA
- Теперь：25V
- Сопротивление - RDS(на)：50Ohm
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 11
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
