Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GT100N12M
Изображение служит лишь для справки
GT100N12M
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3.
Date Sheet
Lagernummer 746
- 1+： $1.97456
- 10+： $1.86279
- 100+： $1.75735
- 500+： $1.65787
- 1000+： $1.56403
Zwischensummenbetrag $1.97456
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-263
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：120W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10mOhm @ 35A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3050 pF @ 60 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：50 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：120 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 746
- 1+： $1.97456
- 10+： $1.86279
- 100+： $1.75735
- 500+： $1.65787
- 1000+： $1.56403
Итого $1.97456
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты