Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G33N03D52
Изображение служит лишь для справки
G33N03D52
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- DFN5*6
- N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Date Sheet
Lagernummer 5038
- 1+： $0.19511
- 10+： $0.18407
- 100+： $0.17365
- 500+： $0.16382
- 1000+： $0.15455
Zwischensummenbetrag $0.19511
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：DFN5*6
- Поставщик упаковки устройства：DFN5*6
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：33A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：29W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：13mOhm @ 16A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：782 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17.5 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
Со склада 5038
- 1+： $0.19511
- 10+： $0.18407
- 100+： $0.17365
- 500+： $0.16382
- 1000+： $0.15455
Итого $0.19511
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты