Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SGT65R65AL
Изображение служит лишь для справки
SGT65R65AL
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- 650 V, 49 MOHM TYP., 25 A, E-MOD
Date Sheet
Lagernummer 8012064
- 1+： $7.64706
- 10+： $7.21421
- 100+： $6.80586
- 500+： $6.42062
- 1000+： $6.05719
Zwischensummenbetrag $7.64706
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：PowerFlat™ (5x6) HV
- Состояние продукта：Active
- Максимальная мощность рассеяния：5W (Ta), 305W (Tc)
- Mfr：STMicroelectronics
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：25A (Tc)
- Основной номер продукта：SGT65
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Технология：GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 15A, 6V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 7mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：286 pF @ 400 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.4 nC @ 6 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：+6V, -10V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 8012064
- 1+： $7.64706
- 10+： $7.21421
- 100+： $6.80586
- 500+： $6.42062
- 1000+： $6.05719
Итого $7.64706
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты