Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PXP010-20QXJ
Изображение служит лишь для справки
PXP010-20QXJ
- Nexperia
- Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33
- Date Sheet
Lagernummer 2808
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства:MLPAK33
- Пакет:Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Основной номер продукта:PXP010
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:10.8A (Ta), 37.6A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.8V, 4.5V
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния:1.7W (Ta), 21W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1 V
- Распад мощности:4.3 W
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 12 V, + 12 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Режим канала:Enhancement
- Зарядная характеристика ворот:29 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:31 mOhms
- Id - Непрерывный ток разряда:17.1 A
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Каналов количество:1 Channel
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:10mOhm @ 10.6A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1730 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:29 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):20 V
- Угол настройки (макс.):±12V
- Характеристика ТРП:-
Со склада 2808
Итого $0.00000