Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G2K3N10H
Изображение служит лишь для справки
G2K3N10H
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Date Sheet
Lagernummer 16048
- 1+： $0.10040
- 10+： $0.09472
- 100+： $0.08936
- 500+： $0.08430
- 1000+： $0.07953
Zwischensummenbetrag $0.10040
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поставщик упаковки устройства：SOT-223
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2.4W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：220mOhm @ 2A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：434 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 16048
- 1+： $0.10040
- 10+： $0.09472
- 100+： $0.08936
- 500+： $0.08430
- 1000+： $0.07953
Итого $0.10040
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты