Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные GC20N65T
Изображение служит лишь для справки
GC20N65T
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
Date Sheet
Lagernummer 63
- 1+： $2.29784
- 10+： $2.16777
- 100+： $2.04507
- 500+： $1.92931
- 1000+： $1.82011
Zwischensummenbetrag $2.29784
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：151W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：170mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1724 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：39 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 63
- 1+： $2.29784
- 10+： $2.16777
- 100+： $2.04507
- 500+： $1.92931
- 1000+： $1.82011
Итого $2.29784
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты