Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G33N03S
Изображение служит лишь для справки
G33N03S
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
Date Sheet
Lagernummer 8822
- 1+： $0.12637
- 10+： $0.11922
- 100+： $0.11247
- 500+： $0.10610
- 1000+： $0.10010
Zwischensummenbetrag $0.12637
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства：8-SOP
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：13A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：2.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：12mOhm @ 8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1550 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：13 nC @ 5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 8822
- 1+： $0.12637
- 10+： $0.11922
- 100+： $0.11247
- 500+： $0.10610
- 1000+： $0.10010
Итого $0.12637
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты