SIHH150N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHH150N60E-T1-GE3
Brand: Vishay
Price: 4.4871111 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (11 reviews)

Vishay
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Date Sheet

Lagernummer 6622

1+： $4.48711
10+： $4.23312
100+： $3.99351
500+： $3.76747
1000+： $3.55421

Zwischensummenbetrag $4.48711

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：PowerPAK® 8 x 8
Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Основной номер продукта：SIHH150
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：19A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Vishay Siliconix
Максимальная мощность рассеяния：156W (Tc)
Состояние продукта：Active
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
Распад мощности：156 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 30 V, + 30 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Зарядная характеристика ворот：24 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：135 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：19 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：E
Технология：MOSFET (Metal Oxide)
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：155mOhm @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250µA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1514 pF @ 100 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：36 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Характеристика ТРП：-

Со склада 6622

1+： $4.48711
10+： $4.23312
100+： $3.99351
500+： $3.76747
1000+： $3.55421

Итого $4.48711